NTE Electronics, Inc. NTE464

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-72-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-72

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE464

Manufacturer

NTE Electronics

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

800mW (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.39

操作温度

175°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600Ohm @ 0A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 10A

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5000 pF @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.03 A

漏极-源极导通最大电阻

600 Ω

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

1.3 pF