NTE Electronics, Inc NTE491

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-92

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

Manufacturer Part Number

NTE491

Manufacturer

NTE Electronics

Continuous Drain Current

0.2(A)

Drain-Source On-Volt

60(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-92

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.14

Drain Current-Max (ID)

0.2 A

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

类型

小信号

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

极性

N

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

0.35(W)

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

5 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

25 pF