NTE Electronics, Inc. NTE491T

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-237AA

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-237

质量

4.535924 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current

0.31(A)

Drain-Source On-Volt

60(V)

Operating Temperature Classification

Military

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

15(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Manufacturer Part Number

NTE491T

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

310mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.11

Drain Current-Max (ID)

0.31 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

O-PBCY-T3

极性

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1(W)

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

+15V, -300mV

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

310 mA

JEDEC-95代码

TO-237

栅极至源极电压(Vgs)

15 V

漏极-源极导通最大电阻

5 Ω

输入电容

60 pF

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

宽度

95.25 mm

高度

6.35 mm

长度

165.1 mm