NTE Electronics, Inc. NTE5823

底架

Stud

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

DO-203AA, DO-4, Stud

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-4

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Manufacturer Part Number

NTE5823

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

O-MUPM-D1

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Forward Voltage-Max (VF)

1.4 V

Risk Rank

5.75

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

EFFICIENCY

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MUPM-D1

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

25 µA @ 600 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.4 V @ 12 A

箱体转运

ANODE

正向电流

12 A

工作温度 - 结点

-65°C ~ 150°C

输出电流-最大值

12 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

600 V

平均整流电流（Io）

12A

相位的数量

1

峰值反向电流

25 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

600 V

Rep Pk反向电压-最大值

600 V

JEDEC-95代码

DO-4

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

200 A

最大非代表Pk前进电流

200 A

反向恢复时间-最大值

0.2 µs

反向恢复时间(trr)

400 ns