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技术文档
型号
NTE614
品牌
NTE Electronics, Inc.
utmel 编号
1780-NTE614
商品类别
二极管 - 整流器 - 单
封装
TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), 30V, Silicon,
起订量
1最小包装量--
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NTE614详情
技术参数
NTE Electronics, Inc. NTE614重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
通孔
安装类型
包装/外壳
表面安装
NO
引脚数
2
供应商器件包装
-
质量
72.574779 g
二极管元件材料
SILICON
终端数量
RoHS
Non-Compliant
Rev Volt
30(V)
Tuning Ratio
2.5
Tuning Ratio Test Condition
2V/30V(V/V)
Rad Hardened
无
Diode Capacitance
29.7(pF)
Mounting
Manufacturer Part Number
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bulk
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
O-PBCY-W2
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Power Dissipation (Max)
0.28 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.09
操作温度
系列
ECCN 代码
EAR99
类型
Tuner
HTS代码
8541.10.00.80
电容量
36.3 pF
子类别
Varactors
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
资历状况
不合格
配置
Single
元素配置
二极管类型
功率耗散
280 mW
Rep Pk反向电压-最大值
30 V
电容@Vr, F
36.3pF @ 4V, 1MHz
电压 - 峰值反向(最大值)
击穿电压-最小值
二极管电容-标称
33 pF
电容比
3
电容比环境
C2/C30
二极管容差
10%
最小品质因数
200
Q@Vr,F
200 @ 4V, 50MHz
二极管电容比-最小值
宽度
76.2 mm
高度
12.7 mm
长度
152.4 mm
NTE614拓展信息
热销零件
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:GI851/MR851
封装:DO-201AD, Axial
品牌:NTE Electronics, Inc
库存:0
型号:GI856/MR856
型号:GI850/MR850
型号:GI852/MR852
型号:NTE6071
封装:DO-203AA, DO-5, Stud
型号:NTE6103
封装:Stud
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