BLF4G20-110B详情
NXP BLF4G20-110B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
表面安装
YES
供应商器件包装
--
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
12 A
Risk Rank
5.83
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
恩智浦半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
BLF4G20-110B
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
MRS16
包装
Tape & Box (TB)
尺寸/尺寸
0.063 Dia x 0.142 L (1.60mm x 3.60mm)
容差
±1%
零件状态
活跃
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±50ppm/°C
电阻
5.6 Ohms
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.4W
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
失败率
--
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12 A
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
特征
--
座位高度(最大)
--
BLF4G20-110B拓展信息
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
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