BYV29FB-600
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NXP BYV29FB-600

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型号

BYV29FB-600

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BYV29FB-600

商品类别

二极管 - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

9 A 600 V Silicon Rectifier Diode

起订量

1最小包装量--

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BYV29FB-600
BYV29FB-600 NXP 9 A 600 V Silicon Rectifier Diode

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BYV29FB-600详情

NXP BYV29FB-600重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Reverse

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Voltage, Rating

    150 V

  • Case Code - in

    0805

  • Case Code - mm

    2012

  • Maximum Operating Temperature

    + 155 C

  • Unit Weight

    0.000194 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    5000

  • Mounting Styles

    PCB 安装

  • Manufacturer

    Royalohm

  • Brand

    Royalohm

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Manufacturer Part Number

    BYV29FB-600

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD

  • Risk Rank

    5.61

  • 系列

    General Purpose Thick Film

  • 包装

    Reel

  • 容差

    1 %

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    200 PPM / C

  • 电阻

    1.5 Ohms

  • 端子表面处理

    TIN

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 应用

    通用型

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 子类别

    Resistors

  • 额定功率

    125 mW (1/8 W)

  • 技术

    厚膜

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    245

  • Reach合规守则

    unknown

  • 终端样式

    SMD/SMT

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    接收电极

  • 箱体转运

    CATHODE

  • 正向电流

    9 A

  • 输出电流-最大值

    9 A

  • 正向电压

    1.9 V

  • 产品类别

    厚膜电阻器

  • 相位的数量

    1

  • 反向恢复时间

    35 ns

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    600 V

  • Rep Pk反向电压-最大值

    600 V

  • 最大非代表Pk前进电流

    100 A

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    100 A

  • 反向恢复时间-最大值

    0.035 µs

  • 特征

    Wrap-Around Termination

  • 产品类别

    Thick Film Resistors - SMD

  • 宽度

    1.25 mm

  • 高度

    0.55 mm

  • 长度

    2 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

BYV29FB-600拓展信息

BA891,115
BA891,115

NXP USA Inc.

BAP50-05,215
BAP50-05,215

NXP USA Inc.

BAT54S,215
BAT54S,215

NXP Semiconductors

BAP50-04W,115
BAP50-04W,115

NXP USA Inc.

BAP64-05W,115
BAP64-05W,115

NXP USA Inc.

BAP65-02,115
BAP65-02,115

NXP USA Inc.

BA277,115
BA277,115

NXP USA Inc.

BAP64-03,115
BAP64-03,115

NXP USA Inc.

BAP55LX,315
BAP55LX,315

NXP USA Inc.

BAP64-04W,115
BAP64-04W,115

NXP USA Inc.

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