NXP NX7002BKS
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NX7002BKS
1786-NX7002BKS
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Axial
大陆
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MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.24A, SOT-363-6, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:240mA, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):2.2ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.6V, , RoHS Compliant:
--最小包装量--
NX7002BKS详情
NXP NX7002BKS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Axial
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
35V
Lifetime @ Temp.
--
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NX7002BKS
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Samacsys Description
NEXPERIA - NX7002BKS - MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.24A, SOT-363-6
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.22
Drain Current-Max (ID)
0.24 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13
尺寸/尺寸
0.351 Dia x 0.786 L (8.92mm x 19.96mm)
容差
±20%
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
类型
密封
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
电容量
47µF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
ESR(等效串联电阻)
--
失败率
S (0.001%)
引线间距
--
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
制造商的尺寸代码
D
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
3.2 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Military
座位高度(最大)
--
评级结果
--
NX7002BKS拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP
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