NX7002BKS
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NXP NX7002BKS

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型号

NX7002BKS

品牌

NXP

utmel 编号

1786-NX7002BKS

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.24A, SOT-363-6, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:240mA, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):2.2ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.6V, , RoHS Compliant:

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NX7002BKS NXP MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.24A, SOT-363-6, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:240mA, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):2.2ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.6V, , RoHS Compliant:

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NX7002BKS详情

NXP NX7002BKS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    Axial

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage Rated

    35V

  • Lifetime @ Temp.

    --

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NX7002BKS

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Nexperia

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Samacsys Description

    NEXPERIA - NX7002BKS - MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.24A, SOT-363-6

  • Ihs Manufacturer

    NEXPERIA

  • Risk Rank

    5.22

  • Drain Current-Max (ID)

    0.24 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13

  • 尺寸/尺寸

    0.351 Dia x 0.786 L (8.92mm x 19.96mm)

  • 容差

    ±20%

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 类型

    密封

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 电容量

    47µF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • ESR(等效串联电阻)

    --

  • 失败率

    S (0.001%)

  • 引线间距

    --

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 制造商的尺寸代码

    D

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    3.2 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    Military

  • 座位高度(最大)

    --

  • 评级结果

    --

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NX7002BKS拓展信息

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