PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP USA Inc. PMDPB42UN,115

  • 收藏
  • 对比

型号

PMDPB42UN,115

utmel 编号

1786-PMDPB42UN,115

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-UDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PMDPB42UN,115详情

NXP USA Inc. PMDPB42UN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-UDFN Exposed Pad

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.9A

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 引脚数量

    6

  • 功率 - 最大

    510mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    50m Ω @ 3.9A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    185pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.5nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: NXP USA Inc. PMDPB42UN,115.

查看更多

右边的3个型号有着和NXP USA Inc. & PMDPB42UN,115相似的参数规格。

查看更多

PMDPB42UN,115拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z