PDTA113EMB315详情
NXP PDTA113EMB315重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-101, SOT-883
供应商器件包装
DFN1006B-3
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
-
功率 - 最大
250 mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 40mA, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 1.5mA, 30mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
180 MHz
电阻基(R1)
1 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
1 kOhms
PDTA113EMB315拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors








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