注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.60055
500
¥0.441588
1000
¥0.367989
2000
¥0.337604
5000
¥0.315514
10000
¥0.293504
15000
¥0.28385
50000
¥0.279107
PDTA113EU115详情
NXP PDTA113EU115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
供应商器件包装
SOT-323
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
-
功率 - 最大
200 mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 40mA, 5V
最大集极截止电流
1µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 1.5mA, 30mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
电阻基(R1)
1 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
1 kOhms
PDTA113EU115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors







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