PDTA115EMB315详情
NXP PDTA115EMB315重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SC-101, SOT-883
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
DFN1006B-3
Product Status
活跃
厂商
NXP USA Inc.
Current-Collector (Ic) (Max)
20 mA
Package
Bulk
系列
-
功率 - 最大
250 mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
1µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 250µA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
180 MHz
电阻基(R1)
100 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
100 kOhms
PDTA115EMB315拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors








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