PDTD113EUF详情
NXP PDTD113EUF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
供应商器件包装
SOT-323
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
-
功率 - 最大
300 mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 2.5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
225 MHz
电阻基(R1)
1 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
1 kOhms
PDTD113EUF拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors








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