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技术文档
型号
PEMH11,315
品牌
NXP
utmel 编号
1786-PEMH11,315
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
封装
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
NOW NEXPERIA PEMH11 - SMALL SIGN
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PEMH11,315详情
技术参数
NXP PEMH11,315重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
SOT-363
Package
Bulk
Base Product Number
UM6K1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100mA
厂商
Micro Commercial Co
Product Status
Obsolete
Current-Collector (Ic) (Max)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大
150mW
Rds On(Max)@Id,Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13pF @ 5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
30V
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
1µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
电阻基(R1)
10kOhms
场效应管特性
电阻-发射极基极(R2)
PEMH11,315拓展信息
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公司资质
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型号:PBLS4003V,115
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