NXP PMGD175XNEX

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件包装

SOT-363

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

870mA (Ta)

厂商

恩智浦半导体

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

功率 - 最大

260mW (Ta)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

252mOhm @ 900mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.25V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

81pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.65nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

场效应管特性

Standard