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技术文档
型号
PUMH10,115
品牌
NXP
utmel 编号
1786-PUMH10,115
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
2 NPN pre-biased (Dual) 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
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PUMH10,115详情
技术参数
NXP PUMH10,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
引脚数
6
Permitted cable outer temperature after assembling without vibration
-40 - 90
Rated current In
4
Permitted cable outer temperature during assembling/handling
-25 - 80
Degree of protection (IP)
IP67
Material of contact surface
Gold
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
PUMH10
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
*
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
300 mW
最大输出电流
100 mA
工作电源电压
极性
NPN
元素配置
Dual
齐纳电压
3 V
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
最大击穿电压
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
PUMH10,115拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:PBLS4003V,115
封装:SOT-563, SOT-666
品牌:NXP USA Inc.
库存:0
型号:PEMH11,315
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
品牌:NXP
库存:41000
型号:PUMH1,115
封装:--
库存:12000
型号:PEMH18,115
型号:PEMD30,115
型号:PUMH2115
库存:9000
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