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技术文档
型号
PUMH9,115
品牌
NXP
utmel 编号
1786-PUMH9,115
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
100 Ma 50 V 2 Channel NPN Si Small Signal Transistor
起订量
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PUMH9,115详情
技术参数
NXP PUMH9,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
引脚数
6
质量
453.59237 mg
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
PUMH9
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
*
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
300 mW
最大输出电流
100 mA
工作电源电压
极性
NPN
元素配置
Dual
齐纳电压
3 V
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
最大击穿电压
发射极基极电压 (VEBO)
10 V
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
长度
2.2 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
PUMH9,115拓展信息
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公司资质
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型号:PBLS4003V,115
封装:SOT-563, SOT-666
品牌:NXP USA Inc.
库存:0
型号:PUMF12,115
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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型号:PEMD3,315
型号:PEMD18,115
封装:--
型号:PQMD3Z
型号:PUMD10,115
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