NXP Semiconductors BC856W,115
- 收藏
- 对比
BC856W,115
1786-BC856W,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
立即发货

NEXPERIA BC856W - SMALL SIGNAL B
--最小包装量--
BC856W,115详情
NXP Semiconductors BC856W,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SC-70, SOT-323
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
SOT-323
Product Status
活跃
Package
Bulk
厂商
恩智浦半导体
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
150°C (TJ)
功率 - 最大
200 mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
65 V
频率转换
100MHz
BC856W,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors







哦! 它是空的。