NXP USA Inc. BC857B/DG/B3215
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BC857B/DG/B3215
1786-BC857B/DG/B3215
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB
1最小包装量--
BC857B/DG/B3215详情
NXP USA Inc. BC857B/DG/B3215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
TO-236AB
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
功率 - 最大
250 mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
频率转换
100MHz
BC857B/DG/B3215拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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