NXP USA Inc. BC847AW
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BC847AW
1786-BC847AW
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
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BC847AW - NPN BIPOLAR TRANSISTOR
--最小包装量--
BC847AW详情
NXP USA Inc. BC847AW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SC-70, SOT-323
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-323
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NXP USA Inc.
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Product Status
活跃
Package
Bulk
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BC847AW
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diotec Semiconductor AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Risk Rank
0.55
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
200 mW
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
频率转换
100MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
110
集电极-发射器电压-最大值
45 V
BC847AW拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
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