NXP Semiconductors BF822

底架

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

极性

NPN

功率耗散

250 mW

集电极发射器电压(VCEO)

250 V

最大集电极电流

50 mA

最高频率

60 MHz

集电极基极电压(VCBO)

250 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

高度

1 mm

长度

3 mm

宽度

1.4 mm