NXP Semiconductors BFU550WX

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

Case/Package

SC

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12 V

hFEMin

60

RoHS

Compliant

Schedule B

8541210080, 8541210080|8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080

包装

Tape & Reel (TR)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

450 mW

频率

900 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

增益带宽积

11 GHz

集电极发射器电压(VCEO)

16 V

最大集电极电流

50 mA

增益

18 dB

转换频率

11 GHz

最大击穿电压

12 V

集电极基极电压(VCBO)

24 V

发射极基极电压 (VEBO)

2 V

连续集电极电流

15 mA

无铅

无铅