NXP Semiconductors BLW29
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BLW29
1964-BLW29
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, CERAMIC, SOT-120A, 4 PIN, BIP RF Power
1最小包装量--
BLW29详情
NXP Semiconductors BLW29重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
SOT
Package Description
POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Manufacturer Package Code
SOT120A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
ROUND
Package Style
POST/STUD MOUNT
Transition Frequency-Nom (fT)
825 MHz
ECCN 代码
EAR99
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRPM-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
2.75 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
18 V
最高频段
甚高频段
功率增益-最小值(Gp)
10 dB
BLW29拓展信息











哦! 它是空的。