NXP Semiconductors BSP52
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BSP52
1964-BSP52
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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Description: TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
1最小包装量--
BSP52详情
NXP Semiconductors BSP52重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
1.25 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
2000
集电极-发射器电压-最大值
80 V
VCEsat-最大值
1.3 V
环境耗散-最大值
1.5 W
BSP52拓展信息










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