BUK765R0-100E
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NXP Semiconductors BUK765R0-100E

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型号

BUK765R0-100E

utmel 编号

1786-BUK765R0-100E

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

120A, 100V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2

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BUK765R0-100E
BUK765R0-100E NXP Semiconductors 120A, 100V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2

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BUK765R0-100E详情

NXP Semiconductors BUK765R0-100E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • Contact plating

    gold-plated

  • Number of pins

    38

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Drain Current-Max (ID)

    120 A

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Type of connector

    pin strips

  • Connector

    socket

  • Kind of connector

    female

  • Spatial orientation

    straight

  • Contacts pitch

    2.54mm

  • Electrical mounting

    THT

  • Connector pinout layout

    2x19

  • Row pitch

    2.54mm

  • Gross weight

    3.61 g

  • Operating temperature

    -40...163°C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    PURE TIN

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • Current rating

    1.5A

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.005 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    650 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    385 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Rated voltage

    60V

  • 个人资料

    beryllium copper

  • 饱和电流

    1

  • Plating thickness

    0.75µm

  • Flammability rating

    UL94V-0

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技术文档: NXP Semiconductors BUK765R0-100E.

BUK765R0-100E拓展信息

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