BUK9Y41-80E
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NXP Semiconductors BUK9Y41-80E

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型号

BUK9Y41-80E

utmel 编号

1964-BUK9Y41-80E

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

24A, 80V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER, SOP-8, LFPAK56-4

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BUK9Y41-80E
BUK9Y41-80E NXP Semiconductors 24A, 80V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER, SOP-8, LFPAK56-4

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BUK9Y41-80E详情

NXP Semiconductors BUK9Y41-80E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Package Description

    PLASTIC, POWER, SOP-8, LFPAK56-4

  • Drain Current-Max (ID)

    24 A

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    PURE TIN

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    MO-235

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.045 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    96 A

  • DS 击穿电压-最小值

    80 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    25 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: NXP Semiconductors BUK9Y41-80E.

BUK9Y41-80E拓展信息

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