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BZT52HB3V3

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NXP Semiconductors BZT52HB3V3

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对比

型号

BZT52HB3V3

品牌

NXP Semiconductors

utmel 编号

1964-BZT52HB3V3

商品类别

TVS - 二极管

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

3.3V, 0.375W, Silicon, Unidirectional Voltage Regulator Diode, Plastic PACKAGE-2

起订量

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BZT52HB3V3

BZT52HB3V3 NXP Semiconductors 3.3V, 0.375W, Silicon, Unidirectional Voltage Regulator Diode, Plastic PACKAGE-2

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BZT52HB3V3详情

技术参数

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NXP Semiconductors BZT52HB3V3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

2
RoHS

Compliant
包装

切割胶带
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-65 °C
最大功率耗散

375 mW
阻抗

95 Ω
元素配置

Single
最大反向漏电电流

5 µA
测试电流

5 mA
齐纳电压

3.3 V
高度

1.2 mm
长度

2.7 mm
宽度

1.7 mm
达到SVHC

无SVHC

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