NXP Semiconductors HEF4720BDB
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HEF4720BDB
1964-HEF4720BDB
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IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 580 ns, CDIP16, Static RAM
1最小包装量--
HEF4720BDB详情
NXP Semiconductors HEF4720BDB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
16
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
DIP,
Access Time-Max
580 ns
Number of Words
256 words
Number of Words Code
256
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-GDIP-T16
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
15 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
256X1
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
1
记忆密度
256 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3 V
输出启用
NO
宽度
7.62 mm
HEF4720BDB拓展信息
pSemi
QP Semiconductor
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