HEF4720BDB
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NXP Semiconductors HEF4720BDB

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型号

HEF4720BDB

utmel 编号

1964-HEF4720BDB

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 580 ns, CDIP16, Static RAM

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HEF4720BDB
HEF4720BDB NXP Semiconductors IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 580 ns, CDIP16, Static RAM

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HEF4720BDB详情

NXP Semiconductors HEF4720BDB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    16

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Package Description

    DIP,

  • Access Time-Max

    580 ns

  • Number of Words

    256 words

  • Number of Words Code

    256

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    CERAMIC, GLASS-SEALED

  • Package Code

    DIP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-GDIP-T16

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    15 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    256X1

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    5.08 mm

  • 内存宽度

    1

  • 记忆密度

    256 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    3 V

  • 输出启用

    NO

  • 宽度

    7.62 mm

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技术文档: NXP Semiconductors HEF4720BDB.

HEF4720BDB拓展信息

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