NXP Semiconductors MRF6P21190HR6
- 收藏
- 对比
MRF6P21190HR6
1964-MRF6P21190HR6
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Transistors RF MOSFET Power HV6 44W W/CDMA
1最小包装量--
MRF6P21190HR6详情
NXP Semiconductors MRF6P21190HR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
1230
质量
13.192592 g
Case/Package
SOT
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
68 V
Voltage Rating (DC)
28 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
700 W
额定电流
2.2 A
频率
2.12 GHz
元素配置
Dual
功率耗散
700 W
输出功率
44 W
无卤素
无卤素
测试电流
1.9 A
漏源电压 (Vdss)
68 V
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
增益
15.5 dB
漏源击穿电压
68 V
测试电压
28 V
无铅
无铅
MRF6P21190HR6拓展信息
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors








哦! 它是空的。