MRF6P21190HR6
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NXP Semiconductors MRF6P21190HR6

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型号

MRF6P21190HR6

utmel 编号

1964-MRF6P21190HR6

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Transistors RF MOSFET Power HV6 44W W/CDMA

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MRF6P21190HR6 NXP Semiconductors Transistors RF MOSFET Power HV6 44W W/CDMA

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MRF6P21190HR6详情

NXP Semiconductors MRF6P21190HR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 引脚数

    1230

  • 质量

    13.192592 g

  • Case/Package

    SOT

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage, Rating

    68 V

  • Voltage Rating (DC)

    28 V

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    700 W

  • 额定电流

    2.2 A

  • 频率

    2.12 GHz

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    700 W

  • 输出功率

    44 W

  • 无卤素

    无卤素

  • 测试电流

    1.9 A

  • 漏源电压 (Vdss)

    68 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12 V

  • 增益

    15.5 dB

  • 漏源击穿电压

    68 V

  • 测试电压

    28 V

  • 无铅

    无铅

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技术文档: NXP Semiconductors MRF6P21190HR6.

MRF6P21190HR6拓展信息

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