NXP Semiconductors MRF6S19100HR3
- 收藏
- 对比
MRF6S19100HR3
1964-MRF6S19100HR3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990 MHz, 22 W Avg., 28 V
1最小包装量--
MRF6S19100HR3详情
NXP Semiconductors MRF6S19100HR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
引脚数
780
质量
6.424994 g
Case/Package
SOT
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
68 V
Voltage Rating (DC)
28 V
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
398 W
额定电流
900 mA
频率
1.99 GHz
元素配置
Single
功率耗散
398 W
输出功率
22 W
无卤素
无卤素
测试电流
900 mA
漏源电压 (Vdss)
68 V
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
增益
16.1 dB
最高频率
1.99 GHz
最大输出功率
22 W
漏源击穿电压
68 V
测试电压
28 V
辐射硬化
无
MRF6S19100HR3拓展信息
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors








哦! 它是空的。