MRF6S19100HR3
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NXP Semiconductors MRF6S19100HR3

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型号

MRF6S19100HR3

utmel 编号

1964-MRF6S19100HR3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990 MHz, 22 W Avg., 28 V

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MRF6S19100HR3
MRF6S19100HR3 NXP Semiconductors 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990 MHz, 22 W Avg., 28 V

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MRF6S19100HR3详情

NXP Semiconductors MRF6S19100HR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Screw

  • 引脚数

    780

  • 质量

    6.424994 g

  • Case/Package

    SOT

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage, Rating

    68 V

  • Voltage Rating (DC)

    28 V

  • 最高工作温度

    225 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    398 W

  • 额定电流

    900 mA

  • 频率

    1.99 GHz

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    398 W

  • 输出功率

    22 W

  • 无卤素

    无卤素

  • 测试电流

    900 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    68 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12 V

  • 增益

    16.1 dB

  • 最高频率

    1.99 GHz

  • 最大输出功率

    22 W

  • 漏源击穿电压

    68 V

  • 测试电压

    28 V

  • 辐射硬化

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技术文档: NXP Semiconductors MRF6S19100HR3.

MRF6S19100HR3拓展信息

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