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NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR6

Name: MRFE6VP5600HR6
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 1964-MRFE6VP5600HR6
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

MRFE6VP5600HR6

品牌

utmel 编号

1964-MRFE6VP5600HR6

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Transistor, 1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787

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MRFE6VP5600HR6 NXP Semiconductors RF Power Transistor, 1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787

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MRFE6VP5600HR6详情

技术参数

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NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
触点镀层

Gold
底架

Screw, Surface Mount
引脚数

5
质量

13.155199 g
Number of Elements

2
RoHS

Compliant
Schedule B

8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|85
Voltage, Rating

130 V
最高工作温度

225 °C
最小工作温度

-65 °C
最大功率耗散

1.667 kW
频率

230 MHz
输出功率

600 W
无卤素

无卤素
测试电流

100 mA
漏源电压 (Vdss)

130 V
栅极至源极电压(Vgs)

10 V
增益

25 dB
最高频率

600 MHz
测试电压

50 V
辐射硬化

无

0个相似型号

MRFE6VP5600HR6拓展信息

热销零件