MRFE6VP5600HR6
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NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR6

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型号

MRFE6VP5600HR6

utmel 编号

1964-MRFE6VP5600HR6

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Transistor, 1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787

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MRFE6VP5600HR6
MRFE6VP5600HR6 NXP Semiconductors RF Power Transistor, 1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787

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MRFE6VP5600HR6详情

NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Gold

  • 底架

    Screw, Surface Mount

  • 引脚数

    5

  • 质量

    13.155199 g

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • Schedule B

    8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|85

  • Voltage, Rating

    130 V

  • 最高工作温度

    225 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    1.667 kW

  • 频率

    230 MHz

  • 输出功率

    600 W

  • 无卤素

    无卤素

  • 测试电流

    100 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    130 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10 V

  • 增益

    25 dB

  • 最高频率

    600 MHz

  • 测试电压

    50 V

  • 辐射硬化

0个相似型号

技术文档: NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR6.

MRFE6VP5600HR6拓展信息

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