NXP Semiconductors PBSS5320T

底架

表面贴装

引脚数

3

Case/Package

SOT-23

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

hFEMin

220

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.2 W

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

300 mW

集电极发射器电压(VCEO)

20 V

最大集电极电流

2 A

最高频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

20 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

高度

1 mm

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

达到SVHC

无SVHC