NXP Semiconductors PDTA114EEF
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PDTA114EEF
1964-PDTA114EEF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
1最小包装量--
PDTA114EEF详情
NXP Semiconductors PDTA114EEF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Package Description
PLASTIC, SC-89, 3 PIN
Part Package Code
SC-89
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Life Cycle Code
Obsolete
Rohs Code
有
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.25 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
50 V
PDTA114EEF拓展信息











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