PDTA123TM
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NXP Semiconductors PDTA123TM

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型号

PDTA123TM

utmel 编号

1964-PDTA123TM

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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PDTA123TM
PDTA123TM NXP Semiconductors TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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PDTA123TM详情

NXP Semiconductors PDTA123TM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

    有

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Package Code

    SC-101

  • Package Description

    1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    有

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PBCC-N3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.25 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    30

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

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技术文档: NXP Semiconductors PDTA123TM.

PDTA123TM拓展信息

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