PDTC124ET
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NXP Semiconductors PDTC124ET

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型号

PDTC124ET

utmel 编号

1964-PDTC124ET

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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PDTC124ET NXP Semiconductors Description: TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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PDTC124ET详情

NXP Semiconductors PDTC124ET重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Package Code

    SOT-23

  • Package Description

    PLASTIC PACKAGE-3

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.25 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    60

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • VCEsat-最大值

    0.3 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    3.5 pF

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技术文档: NXP Semiconductors PDTC124ET.

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