NXP Semiconductors PESD12VV1BL
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PESD12VV1BL
1964-PESD12VV1BL
配件
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大陆
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Very Low Capacitance ESD Protection Diode Bi-Directional 30kV 2-Pin DFN
1最小包装量--
PESD12VV1BL详情
NXP Semiconductors PESD12VV1BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
2
Reverse Stand-off Voltage
12 V
RoHS
Compliant
Case/Package
DFN
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
元素配置
Single
最大反向漏电电流
10 nA
箝位电压
38 V
峰值脉冲电流
7.8 A
峰值脉冲功率
290 W
方向
双向
测试电流
5 mA
ESD保护
有
最小击穿电压
14.6 V
高度
500 µm
长度
1.02 mm
宽度
620 µm
达到SVHC
无SVHC
PESD12VV1BL拓展信息
NXP Semiconductors
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