NXP Semiconductors PTVS18VS1UR
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PTVS18VS1UR
1964-PTVS18VS1UR
配件
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Diode 400 W, Unidirectional, Silicon, Tvs Diode, Plastic PACKAGE-2, Transient Suppressor
1最小包装量--
PTVS18VS1UR详情
NXP Semiconductors PTVS18VS1UR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
2
RoHS
Compliant
Reverse Stand-off Voltage
18 V
Breakdown Voltage / V
21 V
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
极性
单向
通道数量
1
元素配置
Single
最大反向漏电电流
100 nA
箝位电压
29.2 V
峰值脉冲电流
13.7 A
峰值脉冲功率
400 W
方向
单向
测试电流
1 mA
最大击穿电压
22.1 V
ESD保护
有
最大结点温度(Tj)
150 °C
环境温度范围高
150 °C
最小击穿电压
20 V
宽度
1.9 mm
长度
2.8 mm
高度
1.1 mm
达到SVHC
无SVHC
PTVS18VS1UR拓展信息
NXP Semiconductors
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