NXP Semiconductors PESD5V0L1UB

底架

表面贴装

引脚数

2

Breakdown Voltage / V

6.8 V

Reverse Stand-off Voltage

5 V

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

电容量

25 pF

最大功率耗散

42 W

深度

850 µm

工作电压

5 V

通道数量

1

泄漏电流

100 nA

元素配置

Single

最大反向漏电电流

100 nA

箝位电压

12 V

峰值脉冲电流

3.5 A

峰值脉冲功率

42 W

方向

单向

ESD保护

有

最大结点温度（Tj）

150 °C

环境温度范围高

150 °C

最小击穿电压

6.4 V

高度

650 µm

长度

1.25 mm

宽度

850 µm

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC