NXP Semiconductors PH2525L115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

供应商器件包装

LFPAK56, Power-SO8

厂商

恩智浦半导体

Package

Bulk

Product Status

活跃

Base Product Number

PH25

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

62.5W (Tc)

系列

*

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.15V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4470 pF @ 12 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34.7 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-