PHT4NQ10LT
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NXP Semiconductors PHT4NQ10LT

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型号

PHT4NQ10LT

utmel 编号

1786-PHT4NQ10LT

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL, FET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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PHT4NQ10LT
PHT4NQ10LT NXP Semiconductors Description: TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL, FET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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PHT4NQ10LT详情

NXP Semiconductors PHT4NQ10LT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Package Style

    小概要

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Drain Current-Max (ID)

    3.5 A

  • Package Description

    PLASTIC, SC-73, 4 PIN

  • Part Package Code

    SC-73

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Rohs Code

  • Transport Package Size/Quantity

    42*28*23.5/300

  • Gross Weight

    22.83

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • 参考标准

    IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.25 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    6.9 W

  • 饱和电流

    1

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技术文档: NXP Semiconductors PHT4NQ10LT.

PHT4NQ10LT拓展信息

2N5484
2N5484

NXP Semiconductors

BUK98150-55A/CUF
BUK98150-55A/CUF

NXP Semiconductors

PSMN1R0-40YLDX
PSMN1R0-40YLDX

NXP Semiconductors

PHKD3NQ10T
PHKD3NQ10T

NXP Semiconductors

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