NXP Semiconductors PSMN2R640YS
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PSMN2R640YS
1964-PSMN2R640YS
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Mosfet Transistor, N Channel, 100 A, 40 V, 2 Mohm, 10 V, 3 V
1最小包装量--
PSMN2R640YS详情
NXP Semiconductors PSMN2R640YS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
Case/Package
SOT-669
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
46 ns
包装
切割胶带
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
131 W
元素配置
Single
功率耗散
131 W
接通延迟时间
24 ns
漏源电压 (Vdss)
40 V
连续放电电流(ID)
100 A
阈值电压
3 V
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
输入电容
3.776 nF
漏源电阻
3.7 mΩ
高度
1.1 mm
长度
5 mm
宽度
4.1 mm
达到SVHC
无SVHC
PSMN2R640YS拓展信息
NXP Semiconductors
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