PSMN2R640YS
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NXP Semiconductors PSMN2R640YS

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型号

PSMN2R640YS

utmel 编号

1964-PSMN2R640YS

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Mosfet Transistor, N Channel, 100 A, 40 V, 2 Mohm, 10 V, 3 V

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PSMN2R640YS
PSMN2R640YS NXP Semiconductors Mosfet Transistor, N Channel, 100 A, 40 V, 2 Mohm, 10 V, 3 V

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PSMN2R640YS详情

NXP Semiconductors PSMN2R640YS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    4

  • Case/Package

    SOT-669

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    46 ns

  • 包装

    切割胶带

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    131 W

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    131 W

  • 接通延迟时间

    24 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40 V

  • 连续放电电流(ID)

    100 A

  • 阈值电压

    3 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 输入电容

    3.776 nF

  • 漏源电阻

    3.7 mΩ

  • 高度

    1.1 mm

  • 长度

    5 mm

  • 宽度

    4.1 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

技术文档: NXP Semiconductors PSMN2R640YS.

PSMN2R640YS拓展信息

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