NXP Semiconductors PZ1418B30U
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PZ1418B30U
1964-PZ1418B30U
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, HERMETIC SEALED, MEATL CERAMIC, FM-2, BIP RF Power
1最小包装量--
PZ1418B30U详情
NXP Semiconductors PZ1418B30U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
2
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
BASE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
45 W
集电极电流-最大值(IC)
4 A
集电极-发射器电压-最大值
15 V
最高频段
L带
环境耗散-最大值
45 W
功率增益-最小值(Gp)
7.3 dB
PZ1418B30U拓展信息
NXP Semiconductors
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