NXP Semiconductors PZTM1102
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PZTM1102
1964-PZTM1102
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power
1最小包装量--
PZTM1102详情
NXP Semiconductors PZTM1102重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
1.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.2 A
最小直流增益(hFE)
30
PZTM1102拓展信息
NXP Semiconductors
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