NXP USA Inc. BC847C

底架

Reverse

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

hFEMin

110

Number of Elements

1

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

BC847C

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diotec Semiconductor AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

Part Package Code

SOT-23

RoHS

Compliant

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Risk Rank

0.51

JESD-609代码

e3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

电压

45 V

电流

1 A

功率耗散

250 mW

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

100 mA

JEDEC-95代码

TO-236

转换频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

最大耗散功率(Abs)

0.31 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

420

最大结点温度（Tj）

150 °C

集电极-发射器电压-最大值

45 V

环境温度范围高

150 °C

高度

1.1 mm

达到SVHC

无SVHC