NXP USA Inc. BC856BW

底架

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-65 V

hFEMin

220

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 mW

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

200 mW

增益带宽积

100 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

-65 V

最大集电极电流

100 mA

最高频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

-80 V

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

环境温度范围高

150 °C

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

长度

2.2 mm